微電子學科是整個信息學科的基礎，微電子技術是國家戰略性支柱產業，被謄為現代電子工業的心臟和髙科技的原動力，它的發展有力推動了電子技術、通信技術、計算機技術、自動化技術和網絡技術的迅速發展，成為衡量一個國家科技進步的重要標志。未來微電子技術的發展趨勢是基于22納米以下芯片制造技術的超高速、超髙集成度、超大容量、超低功耗、高可靠性、多功能發展方向。

　　2013年8月29~30日，受教育部“春陣計劃”支持，由華中科技大學、歐洲微電子論壇、全法科技工作者協會、比利時專業協會主辦的國際微電子學術會議在華中科技大學舉行。100多位國內外從事微電子領域相關科研、教學和產業界代表參加了此次會議，其中教育部“春暉計劃”回國服務團18名成員從歐洲來武漢參會。

　　本次會議涵蓋先進微電子材料與器件、先進集成電路設計方面的關鍵科學問題，特別是微電子技術在低功耗計算芯片、新型信息存儲器、20納米以下芯片制造技術、硅太陽能電池、通信芯片設計、光發射機芯片設計、基因測序芯片、復雜系統的可視化數字模擬等方面的創新與進展。

　　法國科學院研究員、巴黎南大學趙巍勝教授作了題為《基于自旋電子的低功耗計算》的報告，報告了磁存儲器MRAM的發展、演變、現狀與未來，以及基于自旋電子的低功耗計算等前沿學術進展。趙巍勝教授認為，隨著計算芯片集成度和計算速度的增加,降低邏輯計算芯片的功耗是關鍵技術難題，能夠進行邏輯運算的磁存儲器將改變計算機及可重置邏輯電路計算架構等。華中科技大學繆向水教授作了題為《相變存儲器及憶阻器》的報告,介紹了硫系化合物作為一種性能優異的半導體材料在相變存儲器、憶阻器、存儲和計算融合及類神經元突觸功能器件方面的研究進展。繆向水教授特別提出傳統計算機架構中，信息存儲器和處理器是分離的，總線是連接存儲器和處理器的信息傳遞通道，其有限的數據傳輸速率被稱為“馮?諾依曼瓶頸'嚴重限制了計算機的發展。而人腦的信息存儲和處理沒有明顯的界限，人腦中包含了多達千萬億個突觸，突觸是人腦進行信息存儲和處理的基本單元，突觸可塑性被認為是人腦記憶和學習功能的重要基礎。憶阻器作為一種新型存儲器，是具有記憶功能的非線性電阻，其電阻值能夠隨電荷流經的方向和數量發生變化。憶阻器的這一特性極其類似于人腦突觸的連接強度在生物電信號刺激下的自適應調節，可用來研制類腦存儲器芯片，實現類似于人腦突觸的信息存儲和處理一體化功能，將為構建突破“馮?諾依曼瓶頸”的新型計算機體系結構提供一種嶄新的方法和思路。繆向水教授還介紹了團隊在基于硫系化合物材料的憶阻器中成功實現類似于人腦的活動時序依賴突觸可塑性功能的重要進展。