考試之前，同學(xué)們要刷題，我們可以看看下面的電工理論試題及答案哦！

　　電工理論試題及答案

　　一、單選題：

　　1．金屬導(dǎo)體的電阻值隨著溫度的升高而（ ）。 A：增大 B：減少 C：恒定 D：變?nèi)?/p>

　　2．純電感電路的感抗為（ ）。 A：L B：ωL C：1/ωL D：1/2πfL

　　3．在正弦交流電阻電路中，正確反映電流電壓的關(guān)系式為（ ）。 A：i=U/R B：i=Um/R C：I=U/R D：I=Um/R

　　4．在有些情況下為了縮短晶閘管的導(dǎo)通時(shí)間，加大觸發(fā)電流（兩倍以上）這個(gè)電流稱為（ ）。 A：觸發(fā)電流 B：強(qiáng)觸發(fā)電流 C：掣位電流 D：導(dǎo)通電流

　　5．三相負(fù)載接在三相電源上，若各相負(fù)載的額定電壓等于電源線電壓1/ ，應(yīng)作（ ）連接。 A：星形 B：三角形 C：開口三角形 D：雙星形

　　6．單相正弦交流電路中有功功率的表達(dá)式是（ ）。 A：UI B： UI C：UIcosφ D：UIsinφ

　　7．純電容交流電路中電流與電壓的相位關(guān)系為電流（ ）。 A：超前90° B：滯后90° C：同相 D：超前0~90°

　　8．兩個(gè)正弦量為u1=36sin(314t+120°)V,u2=36sin(628t+30°)V，則有（ ）。A：u1超前u290° B：u2比u1超前90° C：不能判斷相位差 D：

　　9．射極輸出器的輸出阻抗（ ），故常用在輸出極。 A：較高 B：低 C：不高不低 D：很高

　　10．二極管半波整流時(shí)負(fù)載兩端的直流電壓等于（ ）。 A：0.75U2 B： U2 C：0.45U2 D：0.9U2

　　11．三相變壓器的連接組別是表示（ ）。 A：原付邊線電壓的相位關(guān)系 B：原付邊的同名端關(guān)系 C：原付邊相電壓的時(shí)至中關(guān)系 D：原付邊電流大小關(guān)系

　　12．射極輸出器的電壓放大倍數(shù)約等于（ ）。 A：80--100 B：1 C：<50

　　13．晶閘管的控制角越大，則輸出電壓（ ）。A：越高 B：移相位 C：越低 D：越大

　　14．某正弦交流電壓的初相角中，φU=π/6，在t=0時(shí)，其瞬時(shí)值將（ ）。 A：小于零 B：大于零 C：等于零 D：不定

　　15．已知的msinwt第一次達(dá)到最大值的時(shí)刻是0.005s，則第二次達(dá)到最大值時(shí)刻在（ ）。 A：0.01s B：0.025s C：0.05s D：0.075s

　　16．U=311sin（314t-15°）伏，則U=（ ）伏。 A：220∠-195° B：220∠1950° C：311∠-15° D：220∠-15°

　　17．實(shí)際電壓源與實(shí)際電流源的等效互換，對(duì)內(nèi)電路而言是（ ）。 A：可以等效 B：不等效 C：當(dāng)電路為線性時(shí)等效 D：當(dāng)電路為非線性時(shí)等效

　　19．任一條件具備都可以得到肯定的結(jié)論，這是（ ）邏輯。

　　A：與 B：或 C：或非 D：非

　　20．在放大電路中，為了穩(wěn)定輸出電流，應(yīng)引入（ ）。

　　A：電壓負(fù)反饋 B：電壓正反饋 C：電流負(fù)反饋 D：電流正反饋

　　21．Z=A+B是（ ）邏輯。

　　A：與 B：與或非 C：與或非 D：或非

　　22．在三極管放大電路中，為了增強(qiáng)帶負(fù)載的能力應(yīng)采用（ ）放大電路。

　　A：共發(fā)射極 B：共基極 C：共集電極 D：共陰極

　　23．結(jié)論和給定條件相反的邏輯是（ ）。

　　A：與 B：或 C：與非 D：非

　　24．已知放大電路中三個(gè)管腳對(duì)地的電位是（1）0V；（2）0.7V；（3）6V，則該三極管是（ ）型。

　　A：NPN B：PNP C：硅管 D：鍺管

　　25．放大器采用射極偏置改善工作點(diǎn)偏離的是（ ）。

　　A：電流正反饋 B：電流負(fù)反饋 C：電壓正反饋 D：電壓負(fù)反饋

　　26．可控硅的正向阻斷是（ ）。

　　A：可控硅加小向陽極電壓，控制極加反向電壓 B：可控大地加廠向陽極電壓，控制極不加反向電壓

　　C：可控硅加反向陽極電壓，控制極加正向電壓 D：可控硅加反向陽極電壓，控制極加反向電壓

　　27．一三相對(duì)稱負(fù)載，三角形連接，已知：相電流IBC=10∠-10°安，則線電流I=（ ）安。

　　A：17.3∠-40° B：10∠-160° C：10∠80° D：17.3∠80°

　　28．單相半波可控硅整流電路，決定控制角的元件是（ ）。

　　A：U2 B：U2/2 C： U2 0.45U2

　　29．所有條件都具備，才有肯定的結(jié)論，這是（ ）邏輯。

　　A：與非 B：或非 C：與 D：非

　　30．單相橋式半控整流的電路，通過改變控制角，負(fù)載電壓可在（ ）之間連續(xù)可調(diào)。

　　A：0~0.45U2 B：0~0.9U2 C：0~U2 D：0~2.34U2

　　31．已知：I=-14.1sin100πtA，其電流相量I=（ ）A。

　　A：14.1∠0° B：14.1∠180° C：10∠0° D：10∠-180°

　　32．可控硅導(dǎo)通條件是( )。

　　A：陽極與陰極加正向電壓，控制極與陽極加反向電壓 B：陽極與陰極加正向電壓，控制極與陰極加正向電壓

　　C：陽極與陰極加反向電壓，控制極與陽極加反向電壓 D：陽極與陽極加反向電壓，控制極與陰極加正向電壓

　　33．晶體三極管發(fā)射結(jié)反偏置、集電結(jié)處于偏置，晶體三極管處于（ ）工作狀態(tài)。

　　A：放大 B：截止 C：飽和 D：開路

　　34．晶體三極管發(fā)射結(jié)處于正偏，集電結(jié)處反偏，則三極管的工作狀態(tài)為（ ）。

　　A：飽和 B：截止 C：放大 D：導(dǎo)通

　　35．已知e=311sin (314t+5°)V，其相量E=（ ）。

　　A：311∠5° B：220∠5° C：220∠+185° D：220∠+175°

　　36．戴維南定理只適用于（ ）。

　　A：外部為非線性電路 B：外部為線性電路 C：內(nèi)部為線性含源電路 D：內(nèi)部電路為非線性含源電路

　　37．可控硅有（ ）PN結(jié)組成。

　　A：1個(gè) B：2個(gè) C：3個(gè) D：4個(gè)

　　38．電容器的電流I=CΔUC/Δt，當(dāng)UC增大時(shí)，電容器為（ ）。

　　A：充電過程并吸取電能轉(zhuǎn)換為電場(chǎng)能 B：充電過程并吸取電場(chǎng)能轉(zhuǎn)換為電能

　　C：放電過程并由電場(chǎng)能釋放為電能 D：放電過程并由電能釋放為電場(chǎng)能

　　39．晶體三極管處于放大工作狀態(tài)，測(cè)得集電極電位為6V，基極電位0.7V，發(fā)射極接地，則該三極管為（ ）型。

　　A：NPN B：PNP C：N D：P

　　40．已知：電流I=6+j8，電源頻率為50Hz，其瞬時(shí)值表達(dá)式為I=（ ）。

　　A：10 sin (314t+53.1°) B：10 sin (314t+36.9°)

　　C：10sin (314t+53.1°) D：10sin (314t+36.9°)

　　41．共發(fā)射極放大器，集電極電阻RC的作用是（ ）。

　　A：實(shí)現(xiàn)電流放大 B：晶體管電流放大轉(zhuǎn)變速器成電壓放大 C：電流放大與電壓放大 D：穩(wěn)定工作點(diǎn)

　　42．三相電源Y連接，已知UB=220∠-10°伏，其UAB=（ ）伏。

　　A：220∠20° B：220∠140° C：380∠140° D：380∠20°

　　43．某正弦交流電壓的初相角φ=-π/6，在t=0時(shí)，其瞬時(shí)值將（ ）。

　　A：大于零 B：小于零 C：等于零 D：最大值

　　44．發(fā)生LC串聯(lián)諧振的條件是（ ）。

　　A：ωL=ωC B：L=C C：ωL=1/ωC D：XL=2πfL

　　45．若電路中某元件兩端電壓u=100 sin (100πt+50°)V，電流I=10 sin (100πt+140°)A，則該元件是（ ）。

　　A：電阻 B：電感 C：電容 D：阻容

　　46．阻容交流電路中電流與電壓的相位關(guān)系是電流（ ）電壓。

　　A：超前90° B：滯后90° C：同相 D：超前0~90°